everspin Technologies，Inc.是设计，制造和商业销售分立和嵌入式MRAM存储器到市场和应用程序的全球领导者，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。宇芯电子被亲自授权为核心代理商,专注提供的高效可靠的MRAM存储芯片。具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，没有写入延迟，而且耐读/写能力出色。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。能够运行于工业级（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)温度范围内，并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力。 一个主要的设计目标是，所有Everspin MRAM均不受在这些和其他应用中遇到的环境磁场的影响，因为在这些应用中，MRAM是有效且有价值的设计元素。 实例探究 所有Everspin MRAM产品的包装中都包含嵌入式磁屏蔽。屏蔽层由高导磁率的金属制成，可重定向环境磁场，从而显着降低芯片的场强。 包装中的磁屏蔽 Everspin MRAM的电磁抗扰性超过了IEC电磁抗扰性标准国际电工委员会（IEC）标准IEC-61000-4-8规定，所有电子设备必须在至少13奥斯特（1,034 A/m）的磁场中运行。 所有Everspin MRAM产品在所有操作和处理条件下均具有至少25奥斯特（2,000A/m）的抗磁性等级。
Everspin MRAM产品超过5,000万件在离散和嵌入式MRAM产品中可靠运行，这些产品已部署在全球数据中心，应用在各行各业产品中。这是可靠的MRAM运行超过2万亿现场设备小时。 Everspin MRAM常用型号
| 型号 | 容量 | 位宽 | 电压(V) | 温度 | 封装 | MOQ /卷带 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
